Transistor bipolare RF Infineon BFR181WH6327XTSA1, 3 Pin, SOT-323, 20 mA, 20 V, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

423,00 €

(IVA esclusa)

516,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,141 €423,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-7302
Codice costruttore:
BFR181WH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

20mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

175mW

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Minima temperatura operativa

-65°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

3

Standard/Approvazioni

Pb-Free (RoHS)

Serie

BFR181W

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF bipolare al silicio Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno con correnti di collettore da 0,5 mA a 12 mA. Questo transistor RF è qualificato in conformità con AEC Q101.

Facilità d'uso

Senza alogeni

Contenitore senza piombo

Conformità alla direttiva RoHS

Con cavi visibili

Link consigliati