Transistor bipolare RF Infineon BFR181WH6327XTSA1, 3 Pin, SOT-323, 20 mA, 20 V, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

417,00 €

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Codice RS:
273-7302
Codice costruttore:
BFR181WH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

20mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Dissipazione di potenza massima Pd

175mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

3

Serie

BFR181W

Standard/Approvazioni

Pb-Free (RoHS)

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF bipolare al silicio Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno con correnti di collettore da 0,5 mA a 12 mA. Questo transistor RF è qualificato in conformità con AEC Q101.

Facilità d'uso

Senza alogeni

Contenitore senza piombo

Conformità alla direttiva RoHS

Con cavi visibili

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