Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore Infineon BFR93AWH6327XTSA1, 3 Pin, SOT-323, 20 mA, 20 V, Superficie

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Codice RS:
273-7306
Codice costruttore:
BFR93AWH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore

Corrente CC massima collettore Idc

20mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Dissipazione di potenza massima Pd

300mW

Frequenza transizione massima ft

6GHz

Minima temperatura operativa

-65°C

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Serie

BFR93AW

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF bipolare al silicio Infineon è progettato per amplificatori e oscillatori a bassa distorsione fino a 2 GHz con correnti di collettore da 5 mA a 30 mA. Questo transistor RF è qualificato in conformità con AEC Q101.

Senza alogeni

Contenitore senza piombo

Conformità alla direttiva RoHS

Con cavi visibili

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