Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore Infineon BFR93AWH6327XTSA1, 3 Pin, SOT-323, 20 mA, 20 V, Superficie
- Codice RS:
- 273-7306
- Codice costruttore:
- BFR93AWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
417,00 €
(IVA esclusa)
510,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,139 € | 417,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7306
- Codice costruttore:
- BFR93AWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 20mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 20V | |
| Tipo di package | SOT-323 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 2V | |
| Frequenza transizione massima ft | 6GHz | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 70 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Serie | BFR93AW | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor RF bipolare al silicio a basso rumore | ||
Corrente CC massima collettore Idc 20mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 20V | ||
Tipo di package SOT-323 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 20V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 2V | ||
Frequenza transizione massima ft 6GHz | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 70 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Serie BFR93AW | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor RF bipolare al silicio Infineon è progettato per amplificatori e oscillatori a bassa distorsione fino a 2 GHz con correnti di collettore da 5 mA a 30 mA. Questo transistor RF è qualificato in conformità con AEC Q101.
Senza alogeni
Contenitore senza piombo
Conformità alla direttiva RoHS
Con cavi visibili
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