Transistor bipolare RF Infineon, 3 Pin NPN, SOT-323, 80 mA, 20 V, Superficie

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Codice RS:
259-1455
Codice costruttore:
BFR193WH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

80mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Polarità transistor

NPN

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Dissipazione di potenza massima Pd

580mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.1mm

Serie

BFR193W

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF NPN al silicio Infineon. Si tratta di varie applicazioni come telefoni cellulari e cordless, DECT, sintonizzatori, modem FM e RF.

Per amplificatori a basso rumore e ad alto guadagno fino a 2 GHz

Per amplificatori a banda larga lineari

fT 8 GHz, NFmin 1 dB a 900 MHz

Contenitore senza piombo (conforme a RoHS)

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