Transistor bipolare RF Infineon BFR193WH6327XTSA1, 3 Pin NPN, SOT-323, 80 mA, 20 V, Superficie

Visualizza Transistor bipolari

Prezzo per 3000 unità, in una bobina da 3000*

309,00 €

(IVA esclusa)

378,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 9000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,103 €309,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
259-1455
Codice costruttore:
BFR193WH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

80mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Dissipazione di potenza massima Pd

580mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Polarità transistor

NPN

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

2mm

Lunghezza

2.1mm

Altezza

0.9mm

Serie

BFR193W

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF NPN al silicio Infineon. Si tratta di varie applicazioni come telefoni cellulari e cordless, DECT, sintonizzatori, modem FM e RF.

Per amplificatori a basso rumore e ad alto guadagno fino a 2 GHz

Per amplificatori a banda larga lineari

fT 8 GHz, NFmin 1 dB a 900 MHz

Contenitore senza piombo (conforme a RoHS)

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.