Transistor bipolare RF Infineon BFP620H7764XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 7.5 mA, 80 V, Superficie
- Codice RS:
- 259-1437
- Codice costruttore:
- BFP620H7764XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 259-1437
- Codice costruttore:
- BFP620H7764XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 7.5mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 80V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 7.5V | |
| Frequenza transizione massima ft | 65GHz | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 185mW | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 110 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1.2V | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 1.25mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Serie | BFP620 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 7.5mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 80V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 7.5V | ||
Frequenza transizione massima ft 65GHz | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 185mW | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Polarità transistor NPN | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 110 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1.2V | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 1.25mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Serie BFP620 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor RF a bassa rumorosità altamente lineare Infineon fornisce prestazioni eccezionali per un'ampia gamma di applicazioni wireless. È basato sull'affidabile tecnologia SiGe:C ad alto volume di Infineon ed è ideale per le applicazioni CDMA e WLAN.
Il design del collettore fornisce un'elevata linearità di 14,5 dBm OP1dB per applicazioni a bassa tensione
Il modello SPICE GP accurato consente una progettazione efficace nel processo
Contenitore senza piombo (conforme a RoHS)
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