Transistor bipolare RF Infineon BFP540ESDH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 80 mA, 10 V, Superficie
- Codice RS:
- 259-1432
- Codice costruttore:
- BFP540ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1432
- Codice costruttore:
- BFP540ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 80mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 10V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 10V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 50 | |
| Frequenza transizione massima ft | 30GHz | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250mW | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 4 | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | BFP540 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 80mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 10V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 10V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 50 | ||
Frequenza transizione massima ft 30GHz | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250mW | ||
Polarità transistor NPN | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 4 | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie BFP540 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor RF NPN al silicio Infineon per amplificatore ad alto guadagno a bassa rumorosità con protezione ESD. È dotato di eccellenti prestazioni ESD, valore tipico 1000 V (HBM).
Eccezionale Gms 21,5 dB
Cifra del rumore F 0,9 dB
Metallizzazione in oro per un'elevata affidabilità
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