Transistor bipolare RF Infineon BFP193WH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 80 mA, 20 V, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-1415
Codice Distrelec:
304-40-482
Codice costruttore:
BFP193WH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

80mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-343

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

580mW

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Polarità transistor

NPN

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Numero pin

4

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Lunghezza

2.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

BFP193W

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF in silicio NPN Infineon è utilizzato per varie applicazioni come telefoni cellulari e cordless, DECT, sintonizzatori, FM e modem RF.

Per amplificatori a basso rumore e ad alto guadagno fino a 2 GHz

Per amplificatori a banda larga lineari

Contenitore senza piombo (conforme a RoHS)

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