MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 80 V, 2.0 mΩ Miglioramento, 230 A, 8 Pin, DFN5060-8S, Superficie RS7N200BHTB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-622
Codice costruttore:
RS7N200BHTB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

230A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

RS7N200

Tipo di package

DFN5060-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.0mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

92.0nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Halogen Free, Pb Free, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza all'accensione e contenitore ad alta potenza adatto per commutazione, azionamenti di motori e convertitore c.c./c.c.

Placcatura senza Pd

Conforme alla direttiva RoHS

Prodotto privo di alogeni

100% Rg e UIS testato

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