MOSFET singoli ROHM, canale N 80 V, 2.0 mΩ Miglioramento, 230 A, 8 Pin, DFN5060-8S, Superficie RS7N200BHTB1

Visualizza MOSFET
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori

Aggiungi 20 in più per risparmiare 7,20 €

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 nastro da 2 unità*

6,09 €

(IVA esclusa)

7,43 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 100 unità in spedizione dal 09 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Nastro*
Risparmio
2 - 183,045 €6,09 €-
20 - 982,685 €5,37 €7,20 €
100 - 1982,405 €4,81 €64,00 €
200 +1,905 €3,81 €228,00 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-622
Codice costruttore:
RS7N200BHTB1
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

230A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN5060-8S

Serie

RS7N200

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.0mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

92.0nC

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Halogen Free, Pb Free, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza all'accensione e contenitore ad alta potenza adatto per commutazione, azionamenti di motori e convertitore c.c./c.c.

Placcatura senza Pd

Conforme alla direttiva RoHS

Prodotto privo di alogeni

100% Rg e UIS testato

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.