MOSFET singoli ROHM, canale N 30 V, 0.67 mΩ Miglioramento, 390 A, 8 Pin, DFN5060-8S, Superficie RS7E200BGTB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-623
Codice costruttore:
RS7E200BGTB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

390A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

RS7E200

Tipo di package

DFN5060-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.67mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

135nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Pb Free, Halogen Free, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza all'accensione e contenitore ad alta potenza adatto per commutazione, azionamenti di motori e convertitore c.c./c.c.

Placcatura senza Pd

Conforme alla direttiva RoHS

Prodotto privo di alogeni

100% Rg e UIS testato

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