MOSFET ROHM, canale Tipo N 600 V, 390 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220FM, Foro passante R6012JNXC7G
- Codice RS:
- 185-1298
- Codice costruttore:
- R6012JNXC7G
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 185-1298
- Codice costruttore:
- R6012JNXC7G
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | R6012JNX | |
| Tipo di package | TO-220FM | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 390mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 16.27mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.3mm | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie R6012JNX | ||
Tipo di package TO-220FM | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 390mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 16.27mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.3mm | ||
Larghezza 5 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
R6012JNX è un MOSFET di potenza con tempo di recupero inverso rapido (trr), adatto per le applicazioni di commutazione.
Tempo di recupero inverso (TTR) rapido
Bassa resistenza in stato attivo
Elevata velocità di commutazione
Semplificazione dei circuiti di pilotaggio
Placcatura senza PB, compatibile RoHS