MOSFET ROHM, canale N 650 V, 200 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220FM, Foro passante R6520ENX

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Codice RS:
177-6458
Codice costruttore:
R6520ENX
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220FM

Serie

R6520ENX

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.3mm

Altezza

15.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.8mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
JP
Il modello R6520ENX è un MOSFET di potenza con bassa resistenza all'accensione e commutazione rapida, adatto per le applicazioni di commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Velocità di commutazione rapida

L'uso in parallelo è facile

Placcatura senza Pb

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