MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 200 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220FM, Foro passante R6520ENX
- Codice RS:
- 177-6458
- Codice costruttore:
- R6520ENX
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 177-6458
- Codice costruttore:
- R6520ENX
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | R6520ENX | |
| Tipo di package | TO-220FM | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 200mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.3mm | |
| Larghezza | 4.8 mm | |
| Altezza | 15.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie R6520ENX | ||
Tipo di package TO-220FM | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.3mm | ||
Larghezza 4.8 mm | ||
Altezza 15.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Esente
- Paese di origine:
- JP
Il modello R6520ENX è un MOSFET di potenza con bassa resistenza all'accensione e commutazione rapida, adatto per le applicazioni di commutazione.
Bassa resistenza in stato attivo
Velocità di commutazione rapida
L'uso in parallelo è facile
Placcatura senza Pb