MOSFET ROHM, canale N 650 V, 200 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220FM, Foro passante R6520ENX

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Codice RS:
177-6115
Codice costruttore:
R6520ENX
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

R6520ENX

Tipo di package

TO-220FM

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

15.4mm

Larghezza

4.8mm

Lunghezza

10.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
JP
Il modello R6520ENX è un MOSFET di potenza con bassa resistenza all'accensione e commutazione rapida, adatto per le applicazioni di commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Velocità di commutazione rapida

L'uso in parallelo è facile

Placcatura senza Pb

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