MOSFET singoli Microchip, canale Tipo N 60 V, 5 Ω Miglioramento, 410 mA, 3 Pin, TO-39, Superficie 2N6660

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Codice RS:
649-369
Codice costruttore:
2N6660
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

410mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-39

Serie

2N6660

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6.25W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-free/RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il transistor a canale N con modalità di potenziamento a bassa soglia (normalmente spento) di Microchip utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari, l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente.

Privo di scarica secondaria

Basso requisito di potenza di azionamento

Facilità di collegamento in parallelo

Bassa CISS e rapida velocità di commutazione

Eccellente stabilità termica

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