MOSFET singoli Vishay, canale Tipo P -40 V, 0.025 Ω Miglioramento, 24 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJ443AEP-T1_GE3

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Codice RS:
653-063
Codice costruttore:
SQJ443AEP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SQJ443

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.025Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

27W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale P di grado automobilistico Vishay è progettato per una commutazione efficiente in ambienti sensibili alla potenza. Supporta una tensione di scarico fino a 40 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Costruito con la tecnologia TrenchFET, viene fornito in un contenitore compatto PowerPAK SO-8L per prestazioni termiche ed elettriche ottimizzate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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