MOSFET singoli Vishay, canale Tipo P -100 V, 0.0800 Ω Miglioramento, -16 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

1,06 €

(IVA esclusa)

1,29 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1379 unità in spedizione dal 16 luglio 2026
  • Più 3000 unità in spedizione dal 25 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Nastro/i
Per Nastro
1 - 241,06 €
25 - 991,02 €
100 - 4991,00 €
500 - 9990,85 €
1000 +0,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-189
Codice costruttore:
SQS201CENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

-16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-100V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SQS201CENW

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0800Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.30mm

Altezza

0.41mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.30mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET singoli serie SQS201CENW di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio -100 V, corrente di drenaggio continua massima -16 A - SQS201CENW-T1_GE3


Questo singolo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per le funzioni di commutazione di potenza nei sistemi elettronici, in particolare dove è richiesta una robustezza di livello automobilistico. È progettato per il montaggio su circuito stampato in un contenitore PowerPAK e offre un equilibrio tra gestione della corrente e capacità di tensione adatto per ambienti di controllo industriali e veicoli impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:


• dispositivo a canale P che consente la commutazione high-side nei circuiti • Valore nominale da drain a sorgente di 100 V che consente grandi margini di tensione • Corrente di drenaggio continua di -16 A per una notevole capacità di carico • Rds(on) di 0,08 Ω che riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico • Carica gate tipica 26 nC che supporta velocità di commutazione moderate • Dissipazione di potenza di 62,5 W per gestire uno stress termico significativo

Applicazioni


• Adatto per la commutazione di potenza high-side nei moduli automobilistici • Ideale per la protezione degli azionamenti del motore e i circuiti di controllo • Utilizzato per la gestione delle batterie e i sistemi di distribuzione dell'alimentazione • Può essere utilizzato per le fasi di potenza a livello logico dell'automazione industriale

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?


L'escursione da gate a sorgente non deve superare 20 V per evitare lo stress del dispositivo.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme in pratica?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili senza superare i limiti nominali.

Quali considerazioni sul contenitore influenzano il layout e il raffreddamento del circuito stampato?


L'ingombro a 8 pin PowerPAK influisce sui percorsi di conduzione termica e richiede un'adeguata dissipazione del calore in rame per circuito stampato per utilizzare la capacità di gestione della potenza di 62,5 W.

Esistono standard specifici che influenzano la selezione per l'uso automobilistico?


Soddisfa la qualifica automobilistica AEC‐Q101, indicando l'idoneità per le applicazioni elettroniche dei veicoli secondo tale standard.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.