MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -40 V, 17.7 mΩ Miglioramento, 8 Pin, DFN3333T8LSAB, Superficie RH7G04CBJFRATCB
- Codice RS:
- 687-463
- Codice costruttore:
- RH7G04CBJFRATCB
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
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- RH7G04CBJFRATCB
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Serie | RH7G04CBJFRA | |
| Tipo di package | DFN3333T8LSAB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Serie RH7G04CBJFRA | ||
Tipo di package DFN3333T8LSAB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per offrire prestazioni eccezionali nelle applicazioni più impegnative. Questo componente è stato progettato specificamente per la commutazione ad alta efficienza, rendendolo ideale per il settore automobilistico, dell'illuminazione e altri sistemi ad alta affidabilità. Grazie alle sue robuste caratteristiche termiche, tra cui una dissipazione di potenza massima di 62 W e un'impressionante corrente di drenaggio continua di ±40 A, l'RH7G04CBJFRA garantisce un funzionamento affidabile in varie condizioni. Inoltre, questo MOSFET integra funzioni avanzate come i test a valanga e la qualifica AEC-Q101, garantendo sicurezza e durata in ambienti critici.
Bassa resistenza in stato attivo di 17,7 mΩ per una maggiore efficienza
Fornisce una corrente di drenaggio a impulsi massima di ±80 A, consentendo applicazioni ad alte prestazioni
Utilizza fianchi bagnabili per una maggiore affidabilità del giunto di saldatura
Offre una robusta resistenza termica per mantenere le prestazioni sotto carichi pesanti
Funziona efficacemente in un'ampia gamma di temperature, da -55 a +175 °C
Include una specifica per il test a valanga al 100% per una maggiore sicurezza
Prodotto impiegato in una varietà di applicazioni, tra cui l'ADAS e l'illuminazione automobilistica
Fornito con specifiche di imballaggio dettagliate per un'integrazione semplice
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