MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 60 V, 55 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252, Superficie RD3L03BBJHRBTL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-543
Codice costruttore:
RD3L03BBJHRBTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

RD3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.8 mm

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC-Q101

Lunghezza

10.50mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo semiconduttore in ossido metallico di potenza a canale P da 60 volt e 29 ampere ROHM è dotato di placcatura senza piombo ed è conforme alla restrizione delle sostanze pericolose. È testato al 100% a valanga.

Bassa resistenza in stato attivo

Certificazione AEC-Q100

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