MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 48 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AG502ELD3HRBTL

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 5 unità*

10,68 €

(IVA esclusa)

13,03 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 100 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Nastro*
5 - 452,136 €10,68 €
50 - 2451,876 €9,38 €
250 - 4951,684 €8,42 €
500 +1,33 €6,65 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-616
Codice costruttore:
AG502ELD3HRBTL
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

AG502EL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Dissipazione di potenza massima Pd

77W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pd-free plating, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di grado automobilistico ROHM è certificato AEC-Q101. Ideale per i sistemi automobilistici. Questi MOSFET sono testati al 100% contro le avalanche.

Bassa resistenza in stato attivo

Placcatura senza Pd

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati