MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -40 V, 11.9 mΩ Miglioramento, 8 Pin, DFN3333T8LSAB, Superficie RH7G04BBJFRATCB

Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per garantire prestazioni robuste in applicazioni complesse, offrendo un'efficienza e un'affidabilità eccezionali. Con una tensione massima drain-source di -40 V e capacità di corrente di drenaggio continua fino a 40 A, questo componente eccelle nella gestione dell'alimentazione. La bassa resistenza in stato attivo di soli 11,9 mΩ migliora l'efficienza energetica, rendendolo una scelta ideale per i sistemi automobilistici e industriali. Progettato per resistere a temperature comprese tra -55 e 175 °C, questo MOSFET garantisce durata e stabilità in un'ampia gamma di condizioni, mentre la qualifica AEC-Q101 ne segnala l'idoneità agli ambienti automobilistici, contribuendo a migliorare la sicurezza e l'efficacia del dispositivo.

Certificazione AEC Q101 per applicazioni automobilistiche affidabili