MOSFET DiodesZetex, canale Canale P -60 V, 33 mΩ Miglioramento, -10.3 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 719-494
- Codice costruttore:
- DMP6023LFG-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,454 € | 908,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 719-494
- Codice costruttore:
- DMP6023LFG-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -10.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -60V | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMP6023LFG | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 33mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53.1nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.1W | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Lunghezza | 3.35mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -10.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Serie DMP6023LFG | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53.1nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.85mm | ||
Lunghezza 3.35mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità di potenziamento del canale P DiodesZetex, progettato appositamente per fornire un'efficienza ottimale nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione. Questo dispositivo è caratterizzato da un'eccezionale bassa resistenza allo stato on, garantendo una perdita di potenza minima durante il funzionamento. È alloggiata in un contenitore Compact POWERDI 3333-8, che non solo ottimizza la gestione termica, ma riduce anche significativamente l'impronta sulle schede a circuito stampato, facilitando prodotti terminali più piccoli e più efficienti. Progettato con prestazioni di commutazione superiori, soddisfa i requisiti rigorosi delle applicazioni automobilistiche e industriali offrendo affidabilità e durata, il che lo rende una scelta ideale per gli ingegneri che necessitano di soluzioni efficaci di gestione dell'alimentazione.
Il basso RDS(ON) garantisce che le perdite allo stato on siano ridotte al minimo per una maggiore efficienza
Qualificato secondo gli standard AEC-Q101, garantendo l'affidabilità in ambienti difficili
Mantiene prestazioni di commutazione superiori per un'efficace gestione dell'alimentazione
Supporta una corrente di scarico continua di -7,7 A a +25 °C, per soddisfare un'ampia gamma di applicazioni
Completo di diverse opzioni di imballaggio per una maggiore flessibilità nell'integrazione delle applicazioni
La bassa resistenza termica della giunzione all'ambiente favorisce un'eccellente dissipazione del calore
Ideale per applicazioni automobilistiche e ad alta affidabilità, rafforzando le prestazioni e la sicurezza
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