MOSFET DiodesZetex, canale Canale N 60 V, 7.5 Ω Miglioramento, 210 mA, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale DMN67D7L-7
- Codice RS:
- 719-517
- Codice costruttore:
- DMN67D7L-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
108,00 €
(IVA esclusa)
132,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | 0,036 € | 108,00 € |
| 15000 + | 0,035 € | 105,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 719-517
- Codice costruttore:
- DMN67D7L-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 210mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | DMN67D7L | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 821pC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 570mW | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 210mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie DMN67D7L | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 821pC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 570mW | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità di potenziamento canale N DiodesZetex, progettato appositamente per le applicazioni di gestione dell'alimentazione. Minimizza efficacemente la resistenza allo stato attivo, garantendo prestazioni di commutazione superiori. Questo robusto dispositivo è ottimizzato per progetti ad alte prestazioni e a basso consumo energetico, il che lo rende adatto per varie applicazioni tra cui il controllo del motore. La bassa tensione di soglia del gate e la rapida velocità di commutazione ne migliorano ulteriormente la versatilità in un'ampia gamma di progetti elettronici.
Valore nominale per una tensione massima di scarico-sorgente di 60 V, garantendo un funzionamento affidabile
Idoneità per l'uso ad alte temperature con una corrente diretta massima del diodo del corpo di 500 mA
La velocità di commutazione rapida migliora la reattività del circuito
Completamente conforme alle direttive RoHS, supporta il design ecocompatibile
Il livello di sensibilità all'umidità 1 garantisce una facile manipolazione durante l'assemblaggio
Progettato per la produzione senza piombo, senza alogeni, allineandosi agli standard industriali per i componenti ecologici
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