MOSFET DiodesZetex, canale Canale N 60 V, 7.5 Ω Miglioramento, 210 mA, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale DMN67D7L-7

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Codice RS:
719-519
Codice costruttore:
DMN67D7L-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

210mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMN67D7L

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-50°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

821pC

Dissipazione di potenza massima Pd

570mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Lunghezza

3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità di potenziamento canale N DiodesZetex, progettato appositamente per le applicazioni di gestione dell'alimentazione. Minimizza efficacemente la resistenza allo stato attivo, garantendo prestazioni di commutazione superiori. Questo robusto dispositivo è ottimizzato per progetti ad alte prestazioni e a basso consumo energetico, il che lo rende adatto per varie applicazioni tra cui il controllo del motore. La bassa tensione di soglia del gate e la rapida velocità di commutazione ne migliorano ulteriormente la versatilità in un'ampia gamma di progetti elettronici.

Valore nominale per una tensione massima di scarico-sorgente di 60 V, garantendo un funzionamento affidabile

Idoneità per l'uso ad alte temperature con una corrente diretta massima del diodo del corpo di 500 mA

La velocità di commutazione rapida migliora la reattività del circuito

Completamente conforme alle direttive RoHS, supporta il design ecocompatibile

Il livello di sensibilità all'umidità 1 garantisce una facile manipolazione durante l'assemblaggio

Progettato per la produzione senza piombo, senza alogeni, allineandosi agli standard industriali per i componenti ecologici

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