MOSFET DiodesZetex, canale P, 210 mΩ, 1.6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 669-7518
Codice costruttore:: ZXMP3A13FTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 210 mΩ, 1.6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 669-7518
Codice costruttore:: ZXMP3A13FTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1.6 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	210 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	806 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.05mm
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	3,8 nC a 5 V, 6,4 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 210 mΩ, 1.6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, 30 V, Diodes Inc

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