MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 1400 V, 29 mΩ Miglioramento, 65 A, 4 Pin, TO-247-4, Foro passante

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Codice RS:
762-926
Codice costruttore:
IMZC140R029M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1400V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

TO-247-4

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

288W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

23.5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
L'Infineon CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 è un MOSFET in carburo di silicio con tecnologia di interconnessione .XT. Utilizza la tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria e un robusto diodo corpo per la commutazione rigida.

Funzionamento ad alta temperatura

Adatto per commutazione rigida

Gestione termica affidabile

Prestazioni migliorate

Maggiore efficienza

Gate drive ottimizzato

Adatto per l'elettronica di potenza

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