MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 25 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP4227PBF
- Codice RS:
- 650-4772
- Codice costruttore:
- IRFP4227PBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 650-4772
- Codice costruttore:
- IRFP4227PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 65A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 25mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 330W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 20.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.3 mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 65A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 25mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 330W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 20.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.3 mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 65 A, dissipazione di potenza massima di 330 W - IRFP4227PBF
Questo MOSFET è un componente essenziale nelle applicazioni elettroniche contemporanee, in grado di offrire un controllo e una commutazione affidabili per i sistemi ad alta potenza. Offre prestazioni ed efficienza robuste, che lo rendono adatto a una varietà di attività industriali, in particolare in ambienti in cui sono essenziali un'elevata resistenza termica e basse perdite di conduzione. Il design in modalità enhancement facilita il funzionamento ottimale in diverse condizioni, rendendolo ideale per l'automazione, i sistemi elettrici e le applicazioni meccaniche.
Caratteristiche e vantaggi
• Fornisce una corrente di drenaggio continua di 65A per applicazioni intensive
• Funziona in modo efficiente con una tensione massima drain-source di 200V
• Il basso RDS(on) contribuisce all'efficienza energetica durante l'utilizzo
• Tolleranza alle alte temperature fino a 175°C
• Ottimizzato per una commutazione rapida con tempi di caduta e salita minimi
• Offre un'eccellente capacità di ripetizione delle valanghe per una maggiore affidabilità del sistema
Applicazioni
• Utilizzato nei sistemi di recupero energetico per migliorare l'efficienza
• Compatibile con PDP sustain per una prestazione efficace
• Adatto per circuiti di azionamento di motori ad alta potenza che richiedono un controllo accurato
• Impiegato negli alimentatori switching all'interno dei processi di automazione
• Utilizzato negli amplificatori audio professionali per un'efficace gestione dell'uscita
Qual è la corrente massima che può essere gestita a temperature elevate?
Può gestire una corrente di drenaggio continua di 46A a 100°C, garantendo la funzionalità in ambienti difficili.
Come si comporta questo componente in condizioni di pulsazione?
La corrente di drenaggio pulsata può raggiungere i 130A, rendendolo adatto alle applicazioni transitorie.
Quali sono i requisiti di raffreddamento quando si utilizza questo dispositivo?
Ha una resistenza termica di 0,45°C/W dalla giunzione all'involucro, che richiede meccanismi efficaci di dissipazione del calore per un funzionamento ottimale.
Che tipo di montaggio è necessario per l'installazione?
L'installazione richiede il montaggio a foro passante, adatto ad applicazioni robuste che richiedono connessioni solide.
Come influisce la carica del gate sulla velocità di commutazione?
La carica totale tipica del gate è di 70nC e consente una commutazione rapida ed efficiente, fondamentale nelle applicazioni ad alta velocità.