MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 400 V, 25.5 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 762-903
- Codice costruttore:
- IMW40R025M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- 762-903
- Codice costruttore:
- IMW40R025M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 65A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 25.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 195W | |
| Tensione diretta Vf | 4.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 15.7mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 20.8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 65A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 25.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 195W | ||
Tensione diretta Vf 4.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 15.7mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 20.8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET CoolSiC Infineon è ideale per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono ed è dotato di tensione di soglia gate di riferimento. Inoltre, è dotato di tecnologia di interconnessione XT per le migliori prestazioni termiche della categoria.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Tensione di pilotaggio gate consigliata
Qualificato per applicazioni industriali
Utilizzato per l'accumulo di energia, l'UPS e la formazione di batterie
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