MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 200 V, 30 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie

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Codice RS:
762-982
Codice costruttore:
ISC300N20NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.35mm

Lunghezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un dispositivo a canale N da 200 V progettato per applicazioni di potenza efficienti. È dotato di una bassa resistenza in stato attivo e di una carica di recupero inversa (Qrr) minima. Inoltre, è conforme agli standard RoHS, è privo di alogeni ed è classificato come MSL 1 secondo J-STD-020.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Temperatura d'esercizio 175 °C

Elevata potenza nominale a valanga

Placcatura senza piombo

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