2 MOSFET Infineon, canale Tipo N, 13.7 mΩ, 20 A 60 V, SuperSO8 5 x 6 Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 241-9687
- Codice costruttore:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
2095,00 €
(IVA esclusa)
2555,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,419 € | 2.095,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9687
- Codice costruttore:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IPG20N06S4L-14A | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±16 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 39nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IPG20N06S4L-14A | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±16 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET a canale N Infineon OptiMOSTM-T2 per uso automobilistico ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 60 V e una corrente di drenaggio (ID) di 20 A. Viene fornito in un doppio contenitore SS08 (PG-TDSON-8). È fattibile per l'ispezione ottica automatica (AOI).
Livello logico a doppio canale N - Modalità potenziata
AEC Q101
MSL1 con certificazione AEC fino a 260 °C di picco di riflusso
175 °C Temperatura
d'esercizio Prodotto verde (conforme a RoHS) testato al
100% valanga fattibile
per ispezione ottica automatica (AOI)
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