MOSFET Infineon, canale N 40 V, 13.7 mΩ Miglioramento, 49 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 911-4858
Codice costruttore:: BSC093N04LSGATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 13.7 mΩ Miglioramento, 49 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

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Codice RS:: 911-4858
Codice costruttore:: BSC093N04LSGATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	49A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	13.7mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	8.6nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5.35mm
	Lunghezza	6.35mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 49A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.7mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.6nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5.35mm
	Lunghezza 6.35mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: MY

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di scarico continua massima di 49 A, dissipazione di potenza massima di 2,5 W - BSC093N04LSGATMA1

Questo MOSFET è progettato per una gestione e un controllo efficienti dell'alimentazione, svolgendo un ruolo importante nelle applicazioni di automazione ed elettriche che richiedono prestazioni elevate. La sua integrazione migliora l'efficienza dei circuiti, contribuendo all'affidabilità complessiva del sistema e alla sua reattività in vari ambienti.

Caratteristiche e vantaggi

• Fornisce una corrente di drenaggio continua massima di 49A

• Funziona efficacemente in un intervallo di tensione di 40V

• La bassa resistenza di drain-source migliora le prestazioni

• Supporta il montaggio in superficie per una più facile integrazione

• Elevata stabilità termica con una temperatura massima di +150°C

• Adatto a diverse applicazioni grazie all'ampio intervallo di tensione di soglia del gate

Applicazioni

• Ideale per la potenza nell'automazione e nella robotica

• Utilizzato nei sistemi di ricarica dei veicoli elettrici

• Adatto per compiti di alimentazione e conversione

• Applicato nei circuiti di controllo dei motori e negli azionamenti

• Utilizzato nelle telecomunicazioni per una gestione efficiente dei segnali

Che tipo di carico può gestire efficacemente questo dispositivo?

Può gestire carichi fino a 49A, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta corrente in diversi settori.

È compatibile con la tecnologia a montaggio superficiale?

Sì, è dotato di un design a montaggio superficiale che ne facilita l'installazione sui circuiti stampati.

Quali sono i limiti della tensione di gate per questo componente?

Il dispositivo ha limiti di tensione gate-source compresi tra -20V e +20V, consentendo una certa flessibilità nella progettazione dei circuiti.

Può funzionare in condizioni di temperatura estreme?

Sì, funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo la funzionalità in ambienti difficili.

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V

I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

Canale N, livello logico

Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)

Resistenza R DS(on) molto bassa

Placcatura senza piombo

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.