MOSFET Infineon, canale N 60 V, 3.4 mΩ Miglioramento, 288 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
233-4396
Codice costruttore:
ISZ034N06LM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

288A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

ISC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.4mm

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie ISC, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 288 A - ISZ034N06LM5ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in gruppi di potenza compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è adatto per applicazioni che richiedono basse perdite di conduzione e una commutazione rapida azionata da gate, mentre è alloggiato in un piccolo contenitore TDSON.

Caratteristiche e vantaggi:


• Corrente di drenaggio continua massima di 288 A per la gestione di correnti elevate
• Bassa resistenza drain-source di 3,4 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Valore nominale drain-source di 60 V per le fasi di potenza a media tensione
• Carica gate tipica di 53 nC che consente transizioni di commutazione efficienti
• Dissipazione di potenza massima di 83 W per supportare condizioni di carico elevate
• Resistenza gate-source 20 V per margini gate-drive robusti

Applicazioni


• Adatto per fasi di azionamento del motore ad alta corrente
• Utilizzato con convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per la distribuzione dell'alimentazione CC e la commutazione del carico
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e il bilanciamento delle celle
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Cosa consente il funzionamento in intervalli di temperatura estremi?


La struttura interna dei semiconduttori e i valori nominali testati consentono l'uso da -55 °C fino a 175 °C.

In che modo il pacchetto supporta la gestione termica?


Il contenitore TDSON a montaggio superficiale fornisce un percorso termico a basso profilo per la dissipazione del calore all'interno dei layout dei circuiti stampati.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per le prestazioni di commutazione?


I circuiti Drive devono supportare un'escursione gate-sorgente fino a 20 V e gestire la carica tipica del gate di 53 nC per la velocità di commutazione desiderata.

In che modo i progettisti devono tenere conto delle perdite di conduzione a corrente elevata?


Utilizzare il valore Rds(on) di 3,4 mΩ per calcolare le perdite I2R e verificare il rame del circuito stampato e le vie termiche per gestire il calore risultante.

Quale capacità di potenza di picco è indicata per un funzionamento prolungato?


Il dispositivo è specificato con una dissipazione di potenza massima di 83 W per considerazioni di progettazione termica continua.

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