MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie
- Codice RS:
- 258-0921
- Codice costruttore:
- IAUC120N06S5N017ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
3785,00 €
(IVA esclusa)
4620,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 18 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,757 € | 3.785,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-0921
- Codice costruttore:
- IAUC120N06S5N017ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 74nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 167W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie IAUC | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 74nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 167W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor di potenza OptiMOS-5 Infineon è un MOSFET di potenza OptiMOS per applicazioni automobilistiche. Temperatura d'esercizio di 175 °C.
Prodotto ecologico (conforme a RoHS)
Testato al 100% a valanga
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUC120N06S5N017ATMA1
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUC120N06S5L032ATMA1
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie ISP75DP06LMXTSA1
- MOSFET Infineon 1.3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
