MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

3785,00 €

(IVA esclusa)

4620,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,757 €3.785,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-0921
Codice costruttore:
IAUC120N06S5N017ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

IAUC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

74nC

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-5 Infineon è un MOSFET di potenza OptiMOS per applicazioni automobilistiche. Temperatura d'esercizio di 175 °C.

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

Testato al 100% a valanga

Link consigliati