MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie IAUC120N06S5N017ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0922
Codice costruttore:
IAUC120N06S5N017ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

IAUC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

74nC

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-5 Infineon è un MOSFET di potenza OptiMOS per applicazioni automobilistiche. Temperatura d'esercizio di 175 °C.

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

Testato al 100% a valanga

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