MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 9.8 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2025,00 €

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2470,00 €

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Codice RS:
258-0919
Codice costruttore:
IAUC120N06S5L032ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

IAUC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La tecnologia OptiMOS 5 Infineon per MOSFET da 60 V in un contenitore SSO8 di ingombro ridotto standard industriale con prestazioni all'avanguardia che fornisce bassa capacità RDSon, QG e gate e riduce al minimo le perdite di conduzione e di commutazione.

Comportamento EMC migliorato

Dispositivo con certificazione AEC−Q101 e capacità PPAP

Conforme a RoHS

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