MOSFET Infineon, canale N 40 V, 9.8 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

4585,00 €

(IVA esclusa)

5595,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,917 €4.585,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-0913
Codice costruttore:
IAUC120N04S6L009ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TDSON

Serie

IAUC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La tecnologia MOS di potenza Infineon OptiMOS6 da 40 V nel contenitore senza cavo SS08 da 5 x 6 mm2 con il massimo livello di qualità e robustezza per le applicazioni automobilistiche. Un portafoglio di 16 prodotti che consente al cliente di trovare il prodotto più adatto alle proprie applicazioni. Tutto ciò consente il miglior prodotto della categoria FOM e prestazioni sul mercato. Il nuovo prodotto SS08 offre una corrente nominale continua di 120 A, >Il 25% in più rispetto al DPAK standard a quasi la metà della sua area di ingombro.

Certificazione AEC Q101

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Temperatura d'esercizio 175 °C

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

Testato al 100% a valanga

Link consigliati