MOSFET Infineon, canale N 100 V, 9.8 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC098N10NS5ATMA1
- Codice RS:
- 222-4622
- Codice costruttore:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4622
- Codice costruttore:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 69W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.1mm | |
| Lunghezza | 5.35mm | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 69W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.1mm | ||
Lunghezza 5.35mm | ||
Altezza 1.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie OptiMOS-TM5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 60 A - BSC098N10NS5ATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in intervalli di temperatura impegnativi. Supporta correnti continue elevate ed è progettato per applicazioni che richiedono una conduzione efficiente e una commutazione rapida all'interno di temperature industriali estreme.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 100 V fornisce capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 60 A consente la gestione di carichi pesanti
• Il basso valore RDS di 9,8 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 69 W supporta un carico termico significativo
• La carica di gate tipica di 22 nC consente una commutazione reattiva
• La tolleranza del gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti
• La corrente di drenaggio continua di 60 A consente la gestione di carichi pesanti
• Il basso valore RDS di 9,8 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 69 W supporta un carico termico significativo
• La carica di gate tipica di 22 nC consente una commutazione reattiva
• La tolleranza del gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti
Applicazioni
• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per le fasi di corrente dell'azionamento del motore nell'elettronica di potenza
• Utilizzato con regolatori buck sincroni per una maggiore efficienza
• Può essere utilizzato per la commutazione ad alta corrente nelle guide di alimentazione del server
• Adatto per la gestione delle batterie e i moduli di distribuzione dell'alimentazione
• Ideale per le fasi di corrente dell'azionamento del motore nell'elettronica di potenza
• Utilizzato con regolatori buck sincroni per una maggiore efficienza
• Può essere utilizzato per la commutazione ad alta corrente nelle guide di alimentazione del server
• Adatto per la gestione delle batterie e i moduli di distribuzione dell'alimentazione
Quale contenitore viene utilizzato e come influisce sull'assemblaggio della scheda?
Viene fornito in un contenitore TDSON a 8 pin per montaggio superficiale che semplifica il pick-and-place automatizzato e la saldatura per layout di schede compatte.
In quali estremi termici può operare?
Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C per scenari operativi ambientali o di giunzione.
In che modo la configurazione dei canali influisce sul controllo?
Il canale di potenziamento di tipo N richiede una tensione positiva da gate a sorgente per la conduzione, consentendo una progettazione semplice del gate-drive per le applicazioni di commutazione.
Qual è la tensione di gate massima che deve essere applicata?
La tensione da gate a sorgente non deve superare 20 V per evitare di compromettere l'isolamento del gate e l'integrità del dispositivo.
In che modo le dimensioni del contenitore supportano progetti densi?
L'ingombro ridotto di 5,35 x 6,1 x 1,2 mm facilita i layout ad alta densità mantenendo al contempo le capacità di gestione della potenza.
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