MOSFET Infineon, canale N 60 V, 10 mΩ Miglioramento, 41 A, 8 Pin, TDSON, Superficie
- Codice RS:
- 258-0923
- Codice costruttore:
- IAUC41N06S5L100ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
1685,00 €
(IVA esclusa)
2055,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 26 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,337 € | 1.685,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-0923
- Codice costruttore:
- IAUC41N06S5L100ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 41A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 41A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie IAUC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento +175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie IAUC, tensione massima drain-source 60 V, corrente di drenaggio continua massima 41 A - IAUC41N06S5L100ATMA1
Questo MOSFET è un transistor a canale N con modalità di potenziamento progettato per il controllo della potenza a montaggio superficiale in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per contesti automobilistici e supporta la commutazione ad alta corrente con bassa perdita di conduzione. Il componente è confezionato in un formato compatto TDSON e soddisfa le restrizioni ambientali del settore.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 10 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento ad alta corrente
• La tensione diretta di 1,1 V riduce la dissipazione della potenza di commutazione
• Il valore nominale drain-source di 60 V consente un robusto spazio di tensione
• La capacità di corrente continua di 41 A supporta carichi pesanti
• L'intervallo di temperatura da -55 °C a +175 °C mantiene le prestazioni in condizioni estreme
• La tensione diretta di 1,1 V riduce la dissipazione della potenza di commutazione
• Il valore nominale drain-source di 60 V consente un robusto spazio di tensione
• La capacità di corrente continua di 41 A supporta carichi pesanti
• L'intervallo di temperatura da -55 °C a +175 °C mantiene le prestazioni in condizioni estreme
Applicazioni
• Utilizzato per la distribuzione di energia e il controllo dei motori nel settore automobilistico
• Adatto per le fasi di commutazione sincrona del convertitore CC-CC
• Ideale per la commutazione di carichi ad alta corrente nei sistemi dei veicoli
• Può essere utilizzato per la gestione dell'alimentazione su schede compatte a montaggio superficiale
• Utilizzato con moduli di gestione della batteria nelle apparecchiature di trasporto
• Adatto per le fasi di commutazione sincrona del convertitore CC-CC
• Ideale per la commutazione di carichi ad alta corrente nei sistemi dei veicoli
• Può essere utilizzato per la gestione dell'alimentazione su schede compatte a montaggio superficiale
• Utilizzato con moduli di gestione della batteria nelle apparecchiature di trasporto
Quale stile di montaggio richiede?
Si tratta di un componente a montaggio superficiale fornito in un contenitore TDSON adatto per l'assemblaggio automatizzato di circuiti stampati.
È adatta per l'implementazione nel settore automobilistico?
Sì, è conforme agli standard di qualificazione automobilistica ed è classificato per l'intervallo di temperatura specificato per gli ambienti dei veicoli.
In che modo la sua configurazione dei canali influisce sul controllo?
Il dispositivo utilizza una disposizione in modalità di potenziamento a canale N che consente il controllo della conduzione azionato da gate per le applicazioni di commutazione.
Quale conformità alle restrizioni ambientali soddisfa?
È conforme ai requisiti RoHS che limitano alcune sostanze pericolose negli assemblaggi elettronici.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUC41N06S5L100ATMA1
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie BSC098N10NS5ATMA1
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUC120N06S5L032ATMA1
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUC60N04S6L039ATMA1
- MOSFET Infineon 9.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
