MOSFET Infineon, canale N 100 V, 9.8 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 222-4621
Codice costruttore:: BSC098N10NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 9.8 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

4220,00 €

(IVA esclusa)

5150,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
5000 +	0,844 €	4.220,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 222-4621
Codice costruttore:: BSC098N10NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	OptiMOS-TM5
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	9.8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	69W
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	22nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.2mm
	Larghezza	6.1mm
	Lunghezza	5.35mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TDSON
	Serie OptiMOS-TM5
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 69W
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.2mm
	Larghezza 6.1mm
	Lunghezza 5.35mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSC098N10NS5ATMA1

MOSFET Infineon serie OptiMOS-TM5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 60 A - BSC098N10NS5ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in intervalli di temperatura impegnativi. Supporta correnti continue elevate ed è progettato per applicazioni che richiedono una conduzione efficiente e una commutazione rapida all'interno di temperature industriali estreme.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di 100 V fornisce capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 60 A consente la gestione di carichi pesanti
• Il basso valore RDS di 9,8 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 69 W supporta un carico termico significativo
• La carica di gate tipica di 22 nC consente una commutazione reattiva
• La tolleranza del gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti

Applicazioni

• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per le fasi di corrente dell'azionamento del motore nell'elettronica di potenza
• Utilizzato con regolatori buck sincroni per una maggiore efficienza
• Può essere utilizzato per la commutazione ad alta corrente nelle guide di alimentazione del server
• Adatto per la gestione delle batterie e i moduli di distribuzione dell'alimentazione

Quale contenitore viene utilizzato e come influisce sull'assemblaggio della scheda?

Viene fornito in un contenitore TDSON a 8 pin per montaggio superficiale che semplifica il pick-and-place automatizzato e la saldatura per layout di schede compatte.

In quali estremi termici può operare?

Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C per scenari operativi ambientali o di giunzione.

In che modo la configurazione dei canali influisce sul controllo?

Il canale di potenziamento di tipo N richiede una tensione positiva da gate a sorgente per la conduzione, consentendo una progettazione semplice del gate-drive per le applicazioni di commutazione.

Qual è la tensione di gate massima che deve essere applicata?

La tensione da gate a sorgente non deve superare 20 V per evitare di compromettere l'isolamento del gate e l'integrità del dispositivo.

In che modo le dimensioni del contenitore supportano progetti densi?

L'ingombro ridotto di 5,35 x 6,1 x 1,2 mm facilita i layout ad alta densità mantenendo al contempo le capacità di gestione della potenza.