MOSFET Infineon, canale N 40 V, 3.90 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 258-0926
Codice costruttore:: IAUC60N04S6L039ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 3.90 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1785,00 €

(IVA esclusa)

2180,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 26 aprile 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
5000 +	0,357 €	1.785,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 258-0926
Codice costruttore:: IAUC60N04S6L039ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	IAUC
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.90mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	+175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie IAUC
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.90mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento +175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IAUC60N04S6L039ATMA1

MOSFET Infineon serie IAUC, tensione massima drain-source 40 V, corrente di drenaggio continua massima 60 A - IAUC60N04S6L039ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la gestione dell'alimentazione automobilistica ad alta corrente. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per l'uso nei casi in cui è richiesta una robusta tolleranza termica e un montaggio compatto. Il dispositivo è conforme agli standard ambientali del settore ed è confezionato per supportare un assemblaggio efficiente del circuito stampato.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 3.9 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Capacità di 40 V Vds per progetti a media tensione
• Corrente di drenaggio continua di 60 A per la gestione di carichi pesanti
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +175 °C per temperature estreme
• tensione diretta di 1,1 V per supportare una commutazione efficiente

Applicazioni

• Adatto per unità di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta corrente
• Utilizzato con i sistemi di gestione della batteria nei veicoli
• Può essere utilizzato per la conversione CC-CC nell'elettronica di trasporto
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Quale metodo di montaggio richiede?

È progettato per il posizionamento a montaggio superficiale in contenitori TDSON.

Quale polarità e modalità di canale utilizza?

Utilizza una modalità di potenziamento a canale N per il controllo della commutazione.

In che modo soddisfa i requisiti di sollecitazione del settore automobilistico?

È conforme a AEC-Q101 per la qualifica automobilistica.

È conforme all'ambiente?

È conforme alla direttiva RoHS e soddisfa gli standard sulle sostanze soggette a restrizioni.

Quanti pin sono disponibili per i collegamenti su circuito stampato?

La parte viene fornita in una configurazione a 8 pin.