MOSFET Infineon, canale N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 288 A, 8 Pin, TDSON, Superficie ISC011N06LM5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-4393
Codice costruttore:
ISC011N06LM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

288A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.89kW

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.2mm

Lunghezza

6.1mm

Altezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie ISC, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 288 A - ISC011N06LM5ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta corrente e potenza in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo termico ed è adatto per i sistemi elettronici più esigenti che richiedono un dispositivo di potenziamento a canale N con robusta capacità di drenaggio-sorgente e tolleranza di tensione gate.

Caratteristiche e vantaggi:


• La resistenza al drenaggio di 60 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua 288 A supporta la conduzione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 1.15 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 1,89 kW consente una gestione ad alta potenza
• La carica gate di 170 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• Il valore nominale del gate di 20 V consente un ampio margine di azionamento del gate

Applicazioni


• Adatto per convertitori e alimentatori ad alta corrente
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una forte capacità di conduzione
• Ideale per le fasi CC-CC in sistemi ad alta potenza
• Può essere utilizzato per moduli di alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per stadi di potenza a montaggio superficiale su schede compatte

In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?


Funziona da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti termici estremi.

Quale stile di montaggio è consigliato per l'assemblaggio della scheda?


Viene fornito in un contenitore TDSON progettato per il montaggio superficiale su circuiti stampati.

Quanti pin presenta il pacchetto per i collegamenti?


Il dispositivo utilizza una configurazione a 8 pin per alloggiare terminazioni gate, drain e source.

Quale tipo di canale e modalità ne determinano il comportamento di conduzione?


Si tratta di un dispositivo a canale N che funziona in modalità di potenziamento per la commutazione MOS standard.

Quale ingombro fisico devono consentire i progettisti sul circuito stampato?


Il pacchetto misura 6,1 x 5,35 x 1,2 mm e deve essere dotato di un'area di atterraggio per saldatura adeguata.

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