MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 288 A, 8 Pin, TDSON, Superficie ISC011N06LM5ATMA1
- Codice RS:
- 233-4393
- Codice costruttore:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
22,19 €
(IVA esclusa)
27,07 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 4930 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,438 € | 22,19 € |
| 25 - 45 | 3,818 € | 19,09 € |
| 50 - 120 | 3,594 € | 17,97 € |
| 125 - 245 | 3,326 € | 16,63 € |
| 250 + | 3,064 € | 15,32 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 233-4393
- Codice costruttore:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 288A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | ISC | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.15mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 170nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.89kW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Larghezza | 1.2 mm | |
| Altezza | 5.35mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 288A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie ISC | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.15mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 170nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.89kW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Larghezza 1.2 mm | ||
Altezza 5.35mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon nel contenitore SuperSO8 amplia la gamma di prodotti OptiMOS 5 e 3 e consente una maggiore densità di potenza oltre a una maggiore robustezza, rispondendo alla necessità di ridurre i costi del sistema e aumentare le prestazioni. È dotato di una bassa carica di recupero inverso (Qrr) che migliora l'affidabilità del sistema fornendo una riduzione significativa del sovraelongazione di tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti snubber, con conseguente riduzione dei costi e dello sforzo di progettazione.
Temperatura d'esercizio nominale più elevata fino a 175 °C.
Prestazioni termiche superiori
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.15 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie ISZ034N06LM5ATMA1
- MOSFET Infineon 1.15 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.15 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.15 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.15 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.15 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie