MOSFET Infineon, canale N 60 V, 6.3 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 178-7497
Codice costruttore:: BSZ042N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 6.3 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

2495,00 €

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Codice RS:: 178-7497
Codice costruttore:: BSZ042N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	6.3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	27nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	69W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.4mm
	Altezza	1.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	3.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TDSON
	Serie OptiMOS 5
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 69W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.4mm
	Altezza 1.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 3.4mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Esente

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 40 A - BSZ042N06NSATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N in silicio progettato per la commutazione ad alta potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per gestire correnti e tensioni consistenti tipiche delle fasi di conversione e commutazione di potenza. Il componente è fornito in un contenitore TDSON a basso profilo adatto per assemblaggi compatti in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 60 V consente una robusta commutazione a media tensione
• La capacità di corrente continua di 40 A supporta circuiti ad alto carico
• La bassa Rds(on) di 6.3 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 27 nC consente transizioni gate più veloci
• La dissipazione di potenza di 69 W consente una gestione della potenza sostenuta

Applicazioni

• Adatto per gli stadi del convertitore buck sincrono
• Ideale per gli assemblaggi a mezzo ponte del driver del motore
• Utilizzato con moduli di alimentazione c.c.-c.c. negli alimentatori per server
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e per i circuiti di ricarica

Quali sono le considerazioni sull'azionamento del gate da tenere in considerazione?

La carica di gate tipica di 27 nC alla tensione di gate specificata richiede un driver in grado di generare e dissipare una corrente di picco sufficiente per ottenere la velocità di commutazione richiesta senza eccessive perdite di transizione.

In che modo il pacchetto influisce sulle prestazioni termiche?

Il layout a 8 pin TDSON fornisce un percorso a bassa resistenza termica al circuito stampato, consentendo un trasferimento di calore efficace quando utilizzato con un'area in rame e vie termiche appropriate per una maggiore dissipazione di potenza.

Quale intervallo di temperatura può tollerare durante il funzionamento?

È classificato per funzionare in un'ampia finestra di temperatura d'esercizio da ambienti freddi profondi ad ambienti ad alta temperatura, adattandosi a progetti esposti a condizioni estreme.

In che modo il comportamento di commutazione è influenzato dalle caratteristiche del dispositivo?

La combinazione di bassa resistenza in stato attivo e carica di gate moderata bilancia basse perdite di conduzione con transizioni di commutazione controllabili, il che lo rende adatto per fasi di potenza orientate all'efficienza.