MOSFET Infineon, canale N 60 V, 14.6 mΩ Miglioramento, 46 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 166-1198
Codice costruttore:: BSC097N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 14.6 mΩ Miglioramento, 46 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1775,00 €

(IVA esclusa)

2165,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 18 ottobre 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
5000 +	0,355 €	1.775,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1198
Codice costruttore:: BSC097N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	46A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	14.6mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	36W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5.35mm
	Altezza	1.1mm
	Larghezza	6.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 46A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TDSON
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14.6mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 36W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5.35mm
	Altezza 1.1mm
	Larghezza 6.1mm
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Paese di origine:: MY

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione di sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 46 A - BSC097N06NSATMA1

Questo MOSFET è un transistor di potenza progettato per la commutazione e l'amplificazione in circuiti ad alta corrente e a bassa tensione. Funziona su un ampio intervallo di temperatura ed è fornito in un pacchetto compatto a montaggio superficiale adatto per layout di schede densi. Il dispositivo è progettato per assemblaggi elettronici impegnativi in cui sono richiesti una conduzione efficiente e un controllo del gate.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione massima drain-source di 60 V consente una robusta commutazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 46 A supporta la gestione di carichi ad alta corrente
• Il basso valore RDS(on) di 14,6 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La dissipazione di potenza massima di 36 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 12 nC garantisce transizioni gate rapide
• La tolleranza gate-source di 20 V consente tensioni di azionamento flessibili

Applicazioni

• Adatto per stadi di regolazione buck sincroni
• Ideale per circuiti a mezzo ponte con azionamento a motore
• Utilizzato con convertitori CC-CC negli alimentatori per server
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la distribuzione dell'alimentazione
• Adatto per la commutazione del punto di carico ad alta corrente

A quale ambiente termico può resistere durante il funzionamento?

È classificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in applicazioni industriali e a temperature elevate.

Quale contenitore e metodo di montaggio sono forniti per l'assemblaggio del circuito stampato?

Il componente è fornito in un contenitore TDSON ed è progettato per il montaggio superficiale per facilitare l'assemblaggio automatizzato.

Quale tipo di canale e modalità sono implementati per il comportamento di commutazione?

Il dispositivo utilizza una topologia in modalità di potenziamento a canale N adatta per la commutazione low-side e high-side quando viene azionato in modo appropriato.

Quanti collegamenti elettrici presenta il dispositivo a un circuito?

È dotato di una configurazione a 8 pin per ospitare collegamenti gate, drain e source e percorsi di conduzione termica.