MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 14.6 mΩ Miglioramento, 46 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC097N06NSATMA1

Codice RS:: 110-9115
Codice costruttore:: BSC097N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 14.6 mΩ Miglioramento, 46 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC097N06NSATMA1

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Codice RS:: 110-9115
Codice costruttore:: BSC097N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	46A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	14.6mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	36W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5.35mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 46A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14.6mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 36W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5.35mm
	Standard automobilistico No

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MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 14.6 mΩ Miglioramento, 46 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC097N06NSATMA1

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Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™

Transistor MOSFET, Infineon

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