MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 14.6 mΩ Miglioramento, 46 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC097N06NSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
110-9115
Codice costruttore:
BSC097N06NSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.35mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


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Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


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