MOSFET Infineon, canale N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 178-7486
Codice costruttore:: BSC600N25NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

7065,00 €

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*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7486
Codice costruttore:: BSC600N25NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	60mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	22nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.1mm
	Larghezza	5.35mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Tipo di package TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.1mm
	Larghezza 5.35mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

BSC600N25NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

Esente

MOSFET Infineon OptiMOS serie 3, tensione sorgente di drenaggio 250 V, corrente di drenaggio continua 25 A - BSC600N25NS3GATMA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona su un intervallo termico esteso ed è adatto per i circuiti che richiedono una robusta gestione della tensione di drenaggio-sorgente e una corrente continua moderata. Il dispositivo è fornito in un pacchetto TDSON a 8 pin per un'integrazione compatta a livello di scheda.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drenaggio di 250 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 25 A supporta una gestione del carico sostanziale
• L'Rds(on) di 60 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica gate tipica di 22 nC consente prestazioni di commutazione reattive
• La dissipazione di potenza massima di 125 W consente un carico termico elevato

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione sulle schede di alimentazione
• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Utilizzato con le fasi di azionamento del motore che richiedono una corrente di alimentazione di 25 A
• Può essere utilizzato per alimentatori a commutazione con ingombri stretti
• Adatto per circuiti di commutazione industriali esposti a temperature estreme

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?

La tensione gate-source non deve superare 20 V per evitare lo stress da ossido gate e garantire l'affidabilità del dispositivo.

In che modo il tipo di canale influisce sulle scelte di topologia del circuito?

Come dispositivo di potenziamento a canale N, viene generalmente posizionato sul lato basso degli interruttori o utilizzato in topologie sincrone per una maggiore efficienza.

Quale ambiente termico può tollerare durante il funzionamento?

Il componente funziona da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in installazioni ad ampia temperatura in cui le condizioni ambientali variano.

Quali considerazioni di montaggio del pacchetto sono consigliate?

Il formato a montaggio superficiale TDSON richiede idonei tamponi termici per circuito stampato e profili di saldatura per gestire la dissipazione del calore e la stabilità meccanica.