MOSFET Infineon, canale N, 60 mΩ, 25 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-7486
Codice costruttore:: BSC600N25NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 60 mΩ, 25 A, TDSON, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

1,508 €

(IVA esclusa)

1,84 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	1,508 €	7.540,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7486
Codice costruttore:: BSC600N25NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC600N25NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	25 A
Tensione massima drain source	250 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	TDSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.1mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.35mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Infineon, canale N, 60 mΩ, 25 A, TDSON, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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