MOSFET Infineon, canale N 60 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 178-7484
Codice costruttore:: BSC039N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

2915,00 €

(IVA esclusa)

3555,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

10.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
5000 +	0,583 €	2.915,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7484
Codice costruttore:: BSC039N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	69W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	27nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	5.35mm
	Altezza	1.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 69W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 5.35mm
	Altezza 1.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.1mm
	Standard automobilistico No

BSC039N06NS OptiMOS Power-Transistor

Esente

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC039N06NSATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N compatto progettato per applicazioni di potenza ad alta corrente, che offre un funzionamento robusto in un ampio intervallo di temperature. È progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale e fornisce prestazioni di conduzione e commutazione efficienti per sistemi elettronici esigenti.

Caratteristiche e vantaggi:

• Resistenza in stato attivo molto bassa di 5.9 mΩ, che consente di ridurre le perdite di conduzione
• Elevata corrente di drenaggio continua di 100 A per la gestione di carichi pesanti
• Valore nominale drain-source di 60 V per una robusta capacità di tensione
• La bassa carica di gate di 27 nC consente una commutazione più rapida e una minore energia di azionamento
• Dissipazione di potenza massima di 69 W che consente un carico termico prolungato

Applicazioni

• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente continua
• Utilizzato con convertitori CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Può essere utilizzato per moduli di distribuzione dell'alimentazione di server e data center
• Adatto per gruppi di commutazione e gestione dell'alimentazione industriali

Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili.

Quale contenitore e metodo di montaggio sono necessari per l'assemblaggio della scheda?

Il componente è fornito in un pacchetto TDSON a 8 pin progettato per il montaggio superficiale e i processi di saldatura a riflusso.

Che cos'è la modalità canale e come influisce sulla commutazione?

Utilizza una configurazione a canale N in modalità di potenziamento che richiede un azionamento gate-source positivo per condurre e offre compatibilità con la topologia di commutazione convenzionale low-side e high-side.

Quale limite di tensione gate‐drive deve essere rispettato durante la progettazione?

La tensione massima ammissibile da gate a sorgente è di 20 V e i progetti devono mantenere le escursioni del gate entro questa soglia per evitare danni.