MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC039N06NSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-4292
Codice costruttore:
BSC039N06NSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.35 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Esente

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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