MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:
911-0755
Codice costruttore:
BSC028N06LS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

139W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

132nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

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