MOSFET Infineon, canale N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 288 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
233-4392
Codice costruttore:
ISC011N06LM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

288A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.89kW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.1mm

Altezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie ISC, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 288 A - ISC011N06LM5ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta corrente e potenza in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo termico ed è adatto per i sistemi elettronici più esigenti che richiedono un dispositivo di potenziamento a canale N con robusta capacità di drenaggio-sorgente e tolleranza di tensione gate.

Caratteristiche e vantaggi:


• La resistenza al drenaggio di 60 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua 288 A supporta la conduzione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 1.15 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 1,89 kW consente una gestione ad alta potenza
• La carica gate di 170 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• Il valore nominale del gate di 20 V consente un ampio margine di azionamento del gate

Applicazioni


• Adatto per convertitori e alimentatori ad alta corrente
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una forte capacità di conduzione
• Ideale per le fasi CC-CC in sistemi ad alta potenza
• Può essere utilizzato per moduli di alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per stadi di potenza a montaggio superficiale su schede compatte

In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?


Funziona da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti termici estremi.

Quale stile di montaggio è consigliato per l'assemblaggio della scheda?


Viene fornito in un contenitore TDSON progettato per il montaggio superficiale su circuiti stampati.

Quanti pin presenta il pacchetto per i collegamenti?


Il dispositivo utilizza una configurazione a 8 pin per alloggiare terminazioni gate, drain e source.

Quale tipo di canale e modalità ne determinano il comportamento di conduzione?


Si tratta di un dispositivo a canale N che funziona in modalità di potenziamento per la commutazione MOS standard.

Quale ingombro fisico devono consentire i progettisti sul circuito stampato?


Il pacchetto misura 6,1 x 5,35 x 1,2 mm e deve essere dotato di un'area di atterraggio per saldatura adeguata.

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