MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 288 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
233-4392
Codice costruttore:
ISC011N06LM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

288A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.89kW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.1mm

Larghezza

1.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon nel contenitore SuperSO8 amplia la gamma di prodotti OptiMOS 5 e 3 e consente una maggiore densità di potenza oltre a una maggiore robustezza, rispondendo alla necessità di ridurre i costi del sistema e aumentare le prestazioni. È dotato di una bassa carica di recupero inverso (Qrr) che migliora l'affidabilità del sistema fornendo una riduzione significativa del sovraelongazione di tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti snubber, con conseguente riduzione dei costi e dello sforzo di progettazione.

Temperatura d'esercizio nominale più elevata fino a 175 °C.

Prestazioni termiche superiori

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