MOSFET Infineon, canale N 60 V, 6.3 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSZ042N06NSATMA1
- Codice RS:
- 906-4390
- Codice costruttore:
- BSZ042N06NSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 906-4390
- Codice costruttore:
- BSZ042N06NSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 69W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Larghezza | 3.4mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 69W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Larghezza 3.4mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Esente
MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 40 A - BSZ042N06NSATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N in silicio progettato per la commutazione ad alta potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per gestire correnti e tensioni consistenti tipiche delle fasi di conversione e commutazione di potenza. Il componente è fornito in un contenitore TDSON a basso profilo adatto per assemblaggi compatti in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 60 V consente una robusta commutazione a media tensione
• La capacità di corrente continua di 40 A supporta circuiti ad alto carico
• La bassa Rds(on) di 6.3 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 27 nC consente transizioni gate più veloci
• La dissipazione di potenza di 69 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La capacità di corrente continua di 40 A supporta circuiti ad alto carico
• La bassa Rds(on) di 6.3 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 27 nC consente transizioni gate più veloci
• La dissipazione di potenza di 69 W consente una gestione della potenza sostenuta
Applicazioni
• Adatto per gli stadi del convertitore buck sincrono
• Ideale per gli assemblaggi a mezzo ponte del driver del motore
• Utilizzato con moduli di alimentazione c.c.-c.c. negli alimentatori per server
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e per i circuiti di ricarica
• Ideale per gli assemblaggi a mezzo ponte del driver del motore
• Utilizzato con moduli di alimentazione c.c.-c.c. negli alimentatori per server
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e per i circuiti di ricarica
Quali sono le considerazioni sull'azionamento del gate da tenere in considerazione?
La carica di gate tipica di 27 nC alla tensione di gate specificata richiede un driver in grado di generare e dissipare una corrente di picco sufficiente per ottenere la velocità di commutazione richiesta senza eccessive perdite di transizione.
In che modo il pacchetto influisce sulle prestazioni termiche?
Il layout a 8 pin TDSON fornisce un percorso a bassa resistenza termica al circuito stampato, consentendo un trasferimento di calore efficace quando utilizzato con un'area in rame e vie termiche appropriate per una maggiore dissipazione di potenza.
Quale intervallo di temperatura può tollerare durante il funzionamento?
È classificato per funzionare in un'ampia finestra di temperatura d'esercizio da ambienti freddi profondi ad ambienti ad alta temperatura, adattandosi a progetti esposti a condizioni estreme.
In che modo il comportamento di commutazione è influenzato dalle caratteristiche del dispositivo?
La combinazione di bassa resistenza in stato attivo e carica di gate moderata bilancia basse perdite di conduzione con transizioni di commutazione controllabili, il che lo rende adatto per fasi di potenza orientate all'efficienza.
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