MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 13.7 mΩ Miglioramento, 49 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC093N04LSGATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
752-8164
Codice costruttore:
BSC093N04LSGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.35 mm

Lunghezza

6.35mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di scarico continua massima di 49 A, dissipazione di potenza massima di 2,5 W - BSC093N04LSGATMA1


Questo MOSFET è progettato per una gestione e un controllo efficienti dell'alimentazione, svolgendo un ruolo importante nelle applicazioni di automazione ed elettriche che richiedono prestazioni elevate. La sua integrazione migliora l'efficienza dei circuiti, contribuendo all'affidabilità complessiva del sistema e alla sua reattività in vari ambienti.

Caratteristiche e vantaggi


• Fornisce una corrente di drenaggio continua massima di 49A

• Funziona efficacemente in un intervallo di tensione di 40V

• La bassa resistenza di drain-source migliora le prestazioni

• Supporta il montaggio in superficie per una più facile integrazione

• Elevata stabilità termica con una temperatura massima di +150°C

• Adatto a diverse applicazioni grazie all'ampio intervallo di tensione di soglia del gate

Applicazioni


• Ideale per la potenza nell'automazione e nella robotica

• Utilizzato nei sistemi di ricarica dei veicoli elettrici

• Adatto per compiti di alimentazione e conversione

• Applicato nei circuiti di controllo dei motori e negli azionamenti

• Utilizzato nelle telecomunicazioni per una gestione efficiente dei segnali

Che tipo di carico può gestire efficacemente questo dispositivo?


Può gestire carichi fino a 49A, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta corrente in diversi settori.

È compatibile con la tecnologia a montaggio superficiale?


Sì, è dotato di un design a montaggio superficiale che ne facilita l'installazione sui circuiti stampati.

Quali sono i limiti della tensione di gate per questo componente?


Il dispositivo ha limiti di tensione gate-source compresi tra -20V e +20V, consentendo una certa flessibilità nella progettazione dei circuiti.

Può funzionare in condizioni di temperatura estreme?


Sì, funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo la funzionalità in ambienti difficili.

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

Canale N, livello logico

Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)

Resistenza R DS(on) molto bassa

Placcatura senza piombo

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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