MOSFET Infineon, canale N 40 V, 4.2 mΩ Miglioramento, 70 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
222-4661
Codice costruttore:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.25mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

5.58mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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