MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 4.2 mΩ Miglioramento, 70 A, 8 Pin, TDSON, Superficie IPC70N04S5L4R2ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4662
Codice costruttore:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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